STP28NM50N，分立半导体产品，基本技术参数
| 类别 | 分立半导体产品 |
|---|---|
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | MDmesh™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 500V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 21A |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值） | 158 毫欧 @ 10.5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 50nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1735pF @ 25V |
| 功率 - 值 | 90W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
