SI4166DY-T1-GE3 ，分立半导体产品
全新原装，公司现货销售。
数量：7500pcs。
参数：
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压（Vdss） | 30V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 30.5A（Tc） |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） | 3.9 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（值） | 2.4V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 65nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 2730pF @ 15V |
| 功率 - 值 | 6.5W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
