STW40N60M2，分立半导体产品
全新原装，公司现货销售
型号：STW40N60M2
品牌：ST
封装：TO247
参数：
FET 类型： N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：34A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On）：10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：88 毫欧 @ 17A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）： 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：57nC @ 10V
Vgs（值）： ±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：2500pF @ 100V
FET 功能： -
功率耗散（值）：250W（Tc）
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳|：TO-247-3
